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      如何主動引發(fā)存儲單元上的數(shù)據(jù)損壞?

      2021-02-05 22:23

      對于一個項(xiàng)目,我希望故意引起存儲單元(例如,硬盤或閃存驅(qū)動器)上的數(shù)據(jù)損壞。我知道大多數(shù)現(xiàn)代操作系統(tǒng)和文件系統(tǒng)以及硬件都有防止數(shù)據(jù)損壞的措施。我如何設(shè)

      解答動態(tài)

      • 如果你樂于使用這么小的數(shù)據(jù)存儲單元,那么UV-EPROM將非常容易腐爛。它們?nèi)匀豢捎,在線拍賣網(wǎng)站有它們,沒有太多的錢。即使是2700,4mbit,也只有幾磅。
        當(dāng)然,它們不存儲“文件”,只存儲原始數(shù)據(jù),所以你需要某種形式的外部存儲器。或許可以使用Arduino對其進(jìn)行尋址,并將其數(shù)據(jù)表示為一個文件。FWIW,一些CircuitPython模塊可以作為USB內(nèi)存讀取,因此可以從EPROM讀取數(shù)據(jù),并將一個文件寫入其本地存儲區(qū)域來表示它。
        當(dāng)我在職業(yè)生涯早期第一次遇到UV-EPROM時,幾十年前,我很關(guān)心推薦的寫入和擦除時間,所以編寫了一個,然后反復(fù)驗(yàn)證,兩次驗(yàn)證之間在橡皮擦中間隔一分鐘。第一個位需要幾分鐘的時間才能退出,然后大部分時間在5到10分鐘之間,最后一個位需要15分鐘以上才能擦除。相當(dāng)大的范圍。

        • Neil

          • UK的回答讓我想起了一個類似的方法,更常見的方法組件。如果如果您正在構(gòu)建一個直接與存儲設(shè)備接口的系統(tǒng),那么您最好只使用SRAM,在SRAM中填充數(shù)據(jù),然后逐漸將其電源電壓降低到建議的最小值以下。與EPROM相比的優(yōu)勢(除了組件的可用性)是它的速度快得多,所以你可以很快地做更多的實(shí)驗(yàn)來找出產(chǎn)生最有用案例的電壓。
            I曾經(jīng)將其用于配備內(nèi)部RAM的微,它必須檢測到電源丟失,然后將一些數(shù)據(jù)保存到非易失性存儲器中,然后電路板上的電容器降低到足以導(dǎo)致RAM損壞的程度。我沒有明確研究“內(nèi)存崩潰”本身(我只關(guān)心它是否發(fā)生),但我注意到,如果花太多時間,崩潰似乎是隨機(jī)的。

            • 讀取文件,根據(jù)錯誤分布和你想要的概率隨機(jī)翻轉(zhuǎn)或設(shè)置位,然后寫下?lián)p壞的文件備份。

              • Flash在更高的溫度下會更快地失去充電。然而,在一周之內(nèi),你可能無法在你的閃存(順便說一下,硬盤的磁化也是一樣)不會燃燒的溫度下觸發(fā)這種“腐爛”…所以,你必須走不同的路。正如Justme所說,你必須強(qiáng)調(diào)你的媒介。這里的經(jīng)典壓力是寫作壓力。明智的測試我會用一個偽隨機(jī)數(shù)生成器(PRNG)(例如xoroshiro128+,或者任何需要種子的東西)和一個隨機(jī)種子\$a\$。用\$a\$為PRNG種子。開始計(jì)時器。生成一個隨機(jī)數(shù)據(jù)塊大小的倍數(shù)(如4MB),直接寫入存儲設(shè)備(不是通過文件系統(tǒng),而是原始設(shè)備)。在寫東西的時候,準(zhǔn)備下一塊隨機(jī)數(shù)據(jù)(操作系統(tǒng)傾向于緩沖東西,這樣你可以在寫東西的時候繼續(xù)工作)重復(fù)4。直到你的手杖完全關(guān)閉設(shè)備并刷新緩沖區(qū)以保持穩(wěn)定(這取決于操作系統(tǒng),例如,在Linux上比在windows上更容易)。記下計(jì)時器上的時間,并將其用作平均寫入時間速度。種子你的PRNG有$a$。開始計(jì)時器。讀取來自您的計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)塊倍數(shù)(如4MB)設(shè)備。生成一個隨機(jī)數(shù)與你的PRNG,比較設(shè)備讀取數(shù)據(jù)。重復(fù)第十步直到你檢查完整個街區(qū)。累積誤碼數(shù)數(shù)。重復(fù)10– 11. 直到你讀完你的全部設(shè)備。關(guān)閉這個設(shè)備。注意記下時間,并將其用作平均讀取時間。記下鉆頭的數(shù)量錯誤。選擇一個新的\$a\$返回到2. 取決于你的設(shè)備的質(zhì)量、你的運(yùn)氣和你可以寫的速度,你應(yīng)該看到錯誤率在增加(即內(nèi)存單元正在腐爛。
                讀取速度的降低主要源于所有現(xiàn)代大容量存儲器都采用內(nèi)部校驗(yàn)和/或糾錯碼。如果他們檢測到一個壞的內(nèi)存字,錯誤修正就會啟動。破譯錯誤的單詞需要時間,而且越是破譯的碼字就越復(fù)雜。
                嚴(yán)酷的事實(shí)是,在現(xiàn)代的內(nèi)存密度下,物理對任何人都不好,隨機(jī)的位翻轉(zhuǎn)也會發(fā)生。這還不錯——這就是為什么我們有現(xiàn)代的信道編碼/糾錯碼(它們是一樣的)。即使是一個全新的存儲介質(zhì)也會有一些位錯誤,但用戶永遠(yuǎn)不會(或者準(zhǔn)確地說,概率低于用戶可以忽略的某個閾值)受到這些錯誤的影響,因?yàn)榧m正物理不可避免性的能力是內(nèi)置的。
                通過重復(fù)寫入,您正在降低存儲介質(zhì)的物理質(zhì)量,這比一周的時間所能做到的還要多。這只會使這些物理位錯誤的數(shù)量(你看不到)更高。如果一切順利,存儲仍然能夠糾正這些錯誤,但它將需要更多的計(jì)算,因此需要更多的時間,因此讀取速度較慢。你可能會遇到比器糾正的錯誤更多的錯誤,然后你實(shí)際上看到了一個位錯誤。
                事實(shí)上,測量這些并不是很簡單的,因?yàn)槟銓⒄\實(shí)地測量你的錯誤糾正存儲介質(zhì)的位錯誤率和你的RAM的位錯誤率,它不會被糾正錯誤(除非您使用ECC-RAM)。這就是為什么第10步會生成少量的隨機(jī)數(shù)據(jù):這些數(shù)據(jù)會留在CPU緩存中,希望不會被寫入外部RAM,因?yàn)橥獠縍AM往往有更高的錯誤率。如果你只是生成一整條數(shù)據(jù)并將其寫入RAM,然后將其進(jìn)行比較,那么你檢查RAM的次數(shù)就比檢查存儲介質(zhì)的次數(shù)要多。

                • 閃存介質(zhì)上的數(shù)據(jù)保留在很大程度上取決于寫入和存儲時的溫度。當(dāng)你向內(nèi)存中寫入數(shù)據(jù)時,內(nèi)存越熱,數(shù)據(jù)保留的時間就越長;當(dāng)你存儲數(shù)據(jù)時,內(nèi)存越冷,數(shù)據(jù)保留的時間就越長。
                  大約五年前,一個演示文稿在它上面放了一些硬數(shù)字:對于當(dāng)時典型的固態(tài)驅(qū)動器,在25攝氏度下寫字,在55攝氏度下儲存,保存時間約為一周。為了更快地丟失數(shù)據(jù),您可以進(jìn)一步提高溫度:在內(nèi)存存放在冰箱中時寫入數(shù)據(jù),然后在數(shù)據(jù)表允許的最高溫度下存儲。

                  • 在上面的某個點(diǎn)上,您確實(shí)提到“應(yīng)該是物理數(shù)據(jù)腐爛”—但就it系統(tǒng)而言,您可以將抽象打包成其他抽象、一些適配器和一些轉(zhuǎn)換,直到某個軟件層給您一些信息。例如,你不會用磁頭在旋轉(zhuǎn)的硬盤上亂涂亂畫,如果不對其固件進(jìn)行編程,你甚至可能沒有辦法進(jìn)行編程。
                    此外,在IT系統(tǒng)中,還故意使用軟件存儲結(jié)構(gòu),如計(jì)算機(jī)中的RAID陣列或通過iSCSI和網(wǎng)絡(luò)阻止存儲。當(dāng)存儲服務(wù)器崩潰時,這一點(diǎn)可能更為明顯,但請注意,除了介質(zhì)上的位腐爛之外,傳輸和解釋位所涉及的每一層都可能有錯誤—所有這些小處理器、內(nèi)存緩沖區(qū)、固件、驅(qū)動程序、電纜、連接器等都可能有錯誤,
                    因此,如果您在調(diào)查了系統(tǒng)在媒體上看到的錯誤之后,許多操作系統(tǒng)中都有錯誤注入驅(qū)動程序,這些驅(qū)動程序可以向塊設(shè)備或NIC提供設(shè)置級別的不可靠性,而這種不可靠性有時會存在于更高的軟件層,口吃,超時,所以你可以開發(fā)出解決方案,工作良好,無論這種錯誤。在任何情況下,如果您使用的操作系統(tǒng)沒有提供這樣的測試平臺,那么開發(fā)一個測試平臺應(yīng)該不會太難——對于網(wǎng)絡(luò)來說,它可能是無處不在的tun/tap驅(qū)動程序(如openvpn)的擴(kuò)展,對于存儲,您可以在文件上制作一個環(huán)回設(shè)備,偶爾將隨機(jī)位作為腐爛的媒體設(shè)備撒入該文件中。

                    • 便宜的可寫光盤因腐爛相對較快(幾年內(nèi))而臭名昭著,尤其是像DVD+RW或DVD-RW這樣的可擦除光盤。即使是像CD-R或DVD+R這樣的只寫一次的光盤,也可能會很快衰退,這取決于品牌和存儲條件。以我的經(jīng)驗(yàn)來看,雙層可寫DVD光盤更不可靠。當(dāng)然,如果你不想等的話,刮擦過的光盤會有讀取錯誤。如果你不想損壞媒體,即使是灰塵也會引起一些問題。
                      或者將光盤放在陽光下一段時間,尤其是染料面朝上,尤其不要放在玻璃后面。(即使是室內(nèi)的玻璃后面也應(yīng)該足夠了;未經(jīng)過濾的陽光直射產(chǎn)生的紫外線可能不是最重要的因素?赡苁且恍┘訜岷鸵恍⿲(shí)際的光子能量對染料化學(xué)物質(zhì)起作用。)
                      一些燃燒器/讀取器允許您讀取原始介質(zhì)(繞過2層糾錯),允許您查看錯誤率。因此,您將能夠在rot達(dá)到壓倒扇區(qū)錯誤糾正的程度之前檢測到它。(音頻CD僅使用1層糾錯功能,為未壓縮的PCM數(shù)據(jù)留出稍大的空間。數(shù)據(jù)CD通常使用2,因?yàn)橐粋位錯誤更可能使整個內(nèi)容無法使用,盡管顯然VCD(CD)格式使用與音頻CD相同的模式。)
                      當(dāng)您讀回新刻錄的光盤時,初始錯誤率將根據(jù)刻錄機(jī)對光盤品牌/型號的喜愛程度以及寫入速度/策略而有所不同由驅(qū)動器固件選擇。(對于給定的燃燒器和圓盤的組合,通常有一個最佳點(diǎn),不一定是最慢的速度,但通常不是最快的速度)。http://www.digitalfaq.com/guides/media/dvd-tests.htm

                      • End

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